臺(tái)積電“罕見(jiàn)大動(dòng)作” 月底將辦3納米量產(chǎn)典禮

　　參考消息網(wǎng)12月25日據(jù)臺(tái)灣“中央社”報(bào)道，臺(tái)積電發(fā)出活動(dòng)通知，預(yù)計(jì)12月29日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的芯片18廠新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，屆時(shí)將有上梁儀式。

　　報(bào)道稱，相較于5納米，臺(tái)積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。據(jù)預(yù)期，蘋(píng)果及英特爾等客戶都將采用臺(tái)積電3納米制程。

　　據(jù)悉，臺(tái)積電的南科芯片18廠是5納米及3納米的生產(chǎn)基地，其中，芯片18廠5期至9期廠房是3納米生產(chǎn)基地。

　　報(bào)道稱，相較于對(duì)手三星于今年6月30日搶先宣布3納米全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在韓國(guó)京畿道華城廠區(qū)內(nèi)舉行盛大的3納米GAA芯片產(chǎn)品出廠紀(jì)念活動(dòng)，臺(tái)積電3納米量產(chǎn)時(shí)間晚了近半年。

　　臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州廠第一期工程，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)4納米;第二期工程開(kāi)始興建，預(yù)計(jì)2026年生產(chǎn)3納米制程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工后合計(jì)將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片芯片。

　　面對(duì)臺(tái)積電擴(kuò)大美國(guó)投資，派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺(tái)化”、“掏空臺(tái)灣”疑慮。報(bào)道形容，臺(tái)積電南科3納米量產(chǎn)是“罕見(jiàn)以實(shí)際行動(dòng)宣示持續(xù)深耕臺(tái)灣的決心，化解外界疑慮”。(來(lái)源：參考消息網(wǎng))